Serie | TZ4SP TZN4S | TZ4ST | TZ4M TZN4M | TZ4W TZN4W | TZ4H TZN4H | TZ4L TZN4L |
Alimentación | (★) 100-240VCA 50/60Hz, 24VCA 50/60Hz / 24-48VCC |
Rango permitido de voltaje | 90~110% de la alimentación |
Consumo | Aprox. 5VA | Aprox. 6VA(bajo voltaje ☞ CA:Aprox. 8VA, CC:Aprox. 7W) |
Display | Display LED de 7 segmentos [valor del proceso (PV): en rojo, valor de ajuste (SV) en verde] |
Tamaño de caracteres | TZ4SP ☞ W4.8x H7.8mm TZN4S ☞ PV:W7.8xH11mm SV:W5.8xH8mm | W4.8xH7.8mm | TZ4M ☞ PV:W9.8xH14.2mm SV:W8xH10mm TZN4M ☞ PV:W8xH13mm SV:W5xH9mm | W8xH10mm | TZ4H ☞ W3.8xH7.6mm TZN4H ☞ PV:W7.8xH11mm SV:W5.8xH8mm | PV:W9.8xH14.2mm SV:W8xH10mm |
Entrada | Termopar | K(CA), J(IC), R(PR), E(CR), T(CC), S(PR), N(NN), W(TT)
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RTD | Pt 100Ω, JIS Pt100Ω3 conductores, tolerancia en la resistencia de línea máx. 5Ω, por conductor |
Analógica | 1-5VCC, 0-10VCC, 4-20mACC |
Salida de control | Relevador | 250VCA 3A 1c |
SSR | 12VCC±3V 30mA max. |
Corriente | 4-20mACC carga 600Ω Max. |
Salida auxiliar | Transmisión | - | Transmisión PV: 4-20mACC carga max. 600Ω |
EVENTO 1 | 250VCA 1A 1a |
EVENTO 2 | | 250VCA 1A 1a |
Comuni -cación | - | - | RS485 (transmisión PV, ajuste SV) |
Tipo de control | Control ON/OFF, P, PI, PD, PIDF, PIDS |
Precisión de display | F.S ± 0.3% o 3ºC(superior) |
Tipo de ajuste | Por medio de botones al frente |
Histéresis | Ajustable 1~100°C(0.1~100.0°C) en control ON/OFF |
Histéresis de salida de alarma | Ajustable 1~100ºC(0.1~100.0ºC) en control ON/OFF |
Banda proporcional (P) | 0.0 - 100.0% |
Tiempo integral (1) | 0 - 3600 seg. |
Tiempo derivativo D) | 0 - 3600 seg. |
Tiempo de control (T) | 1 - 120 seg. |
Periodo de muestreo | 0.5 seg. |
Ajuste LBA | 1 - 999 seg. |
Ajuste RAMPA | Rampa ascendente, rampa descendente a 1~99min. |
Rigidez dieléctrica | 2000VCA 50/60Hz por 1 min. |
Vibración | Amplitud de 0.75mm a frecuencia 10 ~ 55Hz en cada dirección X, Y, Z por 2 horas |
Vida del relevado | Salida principa | Mecánica: min. 10,000,000 veces, Eléctrica : min. 100,000 veces (250VCA 3A carga resistiva) |
Salida aux. | Mecánica: min. 20,000,000 veces, Eléctrica: min. 300,000 veces (250VCA 1A carga resistiva) |
Resist. de aislamiento | Min. 100MΩ (a 500VCC mega) |
Ruido | Onda cuadrada de ruido generada por simulador de ruido (ancho de pulso μs)±2kV |
Protección de memoria | Aprox. 10 años (cuando se usa una memoria semiconductora no volátil) |
Temperatura ambiente | -10 ~ 50ºC(en condición de no congelamiento) |
Temp. de almacenaje | -20 ~ 60 ºC(en condición de no congelamiento) |
Humedad ambiental | 35 ~ 85%RH |
Certificaciones | CE UL |
Peso de la unidad | TZ4SP: Aprox. 136g TZN4S: Aprox. 150g | Aprox. 136g | Aprox. 270g | TZ4W: Aprox. 270g TZN4W: Aprox. 259g | Aprox. 259g | Aprox. 360g |